رمز الترانزستور
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (Insulated-gate bipolar transistor) و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.[1][2][3]
المراجع
- "Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors". مؤرشف من الأصل في 14 نوفمبر 2011.
- "C. Frank Wheatley, Jr., BSEE". Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering. مؤرشف من الأصل في 14 أغسطس 2017.
- Basic Electronics Tutorials. - تصفح: نسخة محفوظة 07 مايو 2017 على موقع واي باك مشين.