فرانك إف. فانغ (Frank Fang) هو فيزيائي أمريكي، ولد في 11 سبتمبر 1930 في بكين في الصين.[1][2][3]
| فرانك إف. فانغ | |
|---|---|
| معلومات شخصية | |
| الميلاد | 11 سبتمبر 1930 (90 سنة) بكين |
| مواطنة |  الولايات المتحدة |
| الحياة العملية | |
| المدرسة الأم | جامعة تايوان الوطنية |
| المهنة | فيزيائي |
| الجوائز | |
جائزة أوليفر إليزابيث باكلي للمواد المكثفة (1988) زمالة الجمعية الأمريكية الفيزيائية |
|
مراجع
- "Frank F. Fang. Biography". Physics History Network. AIP. مؤرشف من الأصل في 21 سبتمبر 2019.
- Fowler, AB; Fang, FF; Howard, WE; Stiles PJ (16 May 1966). "Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces". Physical Review Letters. 16 (20): 901–903. doi:10.1103/PhysRevLett.16.901.
- IEEE Fellows Directory (Citation: For discovery and understanding of the two-dimensional properties of silicon inversion layers and for contributions to semiconductor device physics research.) نسخة محفوظة 23 ديسمبر 2017 على موقع واي باك مشين.