ميلتون فينغ (Milton Feng) هو مهندس أمريكي، ولد في 1950 في تايوان.[1][2][3]
| ميلتون فينغ | |
|---|---|
| معلومات شخصية | |
| الميلاد | سنة 1950 (العمر 69–70 سنة) تايوان |
| مواطنة |  الولايات المتحدة |
| الحياة العملية | |
| المدرسة الأم | جامعة إلينوي جامعة إلينوي في إربانا-شامبين |
| المهنة | مهندس، وأستاذ جامعي |
| موظف في | جامعة إلينوي في إربانا-شامبين |
مراجع
- Kloeppel, James E. (Dec 11, 2006). "World's fastest transistor approaches goal of terahertz device" (Press release). Champaign, Ill.: جامعة إلينوي في إربانا-شامبين. University of Illinois News Bureau. مؤرشف من الأصل في 13 مايو 201921 فبراير 2018.
- http://www.ece.illinois.edu/directory/profile/mfeng Milton Feng :: ECE ILLINOIS
- Snodgrass, William; Hafez, Walid; Harff, Nathan; Feng, Milton (2006). "Pseudomorphic InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors (PHBTs) Experimentally Demonstrating fT = 765 GHz at 25°C Increasing to fT = 845 GHz at -55°C". 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM '06): 1–4. doi:10.1109/IEDM.2006.346853. مؤرشف من الأصل في 7 يونيو 2018.