واتر هاوزر براتين (Walter Houser Brattain) هو عالم فيزياء أمريكي حصل عام 1956 على جائزة نوبل للفيزياء بالاشتراك مع جون باردين ووليام شوكلي.[8][9][10] وكانت حيازتهم على الجائزة من أجل اختراعهم الترانزيستور.
| والتر براتين | |
|---|---|
 |
|
| معلومات شخصية | |
| الميلاد | 10 فبراير 1902[1][2][3][4] شيامن |
| الوفاة | 13 أكتوبر 1987 (85 سنة)
[1][2][3][4] سياتل |
| سبب الوفاة | مرض آلزهايمر |
| مواطنة |  الولايات المتحدة |
| عضو في | الأكاديمية الوطنية للعلوم، والأكاديمية الأمريكية للفنون والعلوم، والجمعية الأمريكية لتقدم العلوم[5]، والجمعية الفيزيائية الأمريكية[5] |
| الحياة العملية | |
| المدرسة الأم | كلية وايتمان جامعة أوريغون جامعة منيسوتا |
| المهنة | فيزيائي، ومخترع |
| مجال العمل | فيزياء |
| موظف في | كلية وايتمان |
| الجوائز | |
جائزة ريتشماير التذكارية (1956) جائزة نوبل في الفيزياء (1956)[6][7] قلادة ستيوارت بلنتين (1952) القاعة الوطنية للمخترعين المشاهير |
|
ولد والتر براتين في 10 فبراير 1902 وتوفي 13 أكتوبر 1987. وبدل جهدا كبيرا في دراسة الحالة السطحية للمواد.
بداية حياته وتعليمه
ولد براتين في أموي في الصين في 10 من فبراير عام 1902 لأبيه روس ر.براتين وامه اوتيلي وقضي بداية حياته في سبرينجفيلد وتوناسكت في واشنطن. تربي في توناسكت في واشنطن في مزرعة الماشية التي يملكها والداه، وحصل على درجة البكالوريوس في الفيزياء والرياضيات في كلية ويتمان في والا والا، واشنطن عام 1924. ثم حصل علي درجة الماجستير من جامعو اوريجون عام 1926.ثم انتقل شرقا ليحصل علي درجة الدكتوراة في الفيزياء في جامعة مينيسوتا عام 1929. وكانت اطروحته في الدكتوراة عن أثر الإلكترون في بخار الزئبق.في عامي 1928و1929 اشتغل براتين في المكتب الوطني للمعايير في واشنطن العاصمة. ثم عين في مختبرات بل في عام 1929.
كانت اهتمامات براتين في السنوات ما قبل الحرب العالمية الثانية تتمحور اولا حول الفيزياء السطحية للتنجستين ثم اهتم بدراسة اسطح اكسيد النحاس والسيلكون (وهما من اشباه الموصلات).أثناء الحرب العالمية الثانية خصص براتين وقته لتطوير طرق الكشف عن الغواصات بموجب عقد مع المجلس الوطني للبحوث الدفاع في جامعة كولومبيا.
حياته المهنية في الفيزياء
بعد الحرب العالمية الثانية، عاد براتين الي مختبرات بل وسرعان ما التحق بشعبة اشباه الموصلات في قسم الحالة الصلبة الملحق حديثا بالمختبرات. ويليام شوكلي كان مديرا للشعبة انذاك وقد كان قد بدأ بحثا عاما يستهدف إنتاج مكبرا عمليا للصوت في الحالة الصلبة.
بلورات أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم أو السيليكون) موصلات سيئة جدا في درجات الحرارة المحيطة، لأن الطاقة التي يجب أن يحصل عليها الإلكترون من أجل احتلال مستوى طاقة التوصيل أكبر بكثير من الطاقة الحرارية المتاحة للإلكترون في البلورات من هذا القبيل. تسخين شبه الموصل بإمكانه اثارة الإلكترونات لإيصالها الي مستوي طاقة التوصيل، لكن إضافة شوائب الي البلورة أكثر فعالية لزيادة التوصيل.
البلورة يمكن ان تطعم بكمية صغيرة من عنصر لديه الكترونات أكثر من شبه الموصل، وهذه الالكترونات الزائدة تكون حرة الحركة خلال البلورة وفي هذه الحالة تصبح البلورة من النوع السالب.
من الممكن أيضا تطعيم البلورة بعنصر لديه الكترونات اقل من شبه الموصل، هذا الاجراء سوف ينتج عنه فراغات للالكترونات داخل البلورة أو ما يسمي بالفجوات، وهذه الفجوات تكون حرة الحركة كأنها الكترونات موجبة الشحنة وفي هذه الحالة تصبح البلورة من النوع الموجب.من الملاحظ ان سرعة انتقال الالكترونات أكبر من سرعة انتقال الفجوات داخل البلورة.
من الممكن تغيير مستوي نطاق التوصيل عند سطح شبه الموصل، والذي سوف يؤثربالزيادة أو النقصان علي توصيلية البلورة.هذه الخواص الفيزيائية الفريدة التي تتميز بها اشباه الموصلات ادت الي اختراع ما يسمي بمصحح التيار الكهربائي عن طريق استخدام وصلات مكونة من بلورة من أحد نوعي اشباه الموصلات- موجب أو سالب- مع معدن، أو موكنة من النوعين الموجب والسالب (فكرة عمل الدايود). مصحح التيار الكهربائي يسمح بمرور التيار في أحد الاتجاهات حيث يتصرف كمقاومة صغيرة بينما يمنع مرور التيار في الاتجاه المعاكس حيث يتصرف كمقاومة كبيرة للغاية
كانت الوصلة الثنائية (الدايود) معروفة في العالم بعد نهاية الحرب العالمية الثانية، بينما أراد شوكلي ان ينتج جهازا جديدا يتمتع بخاصية المقاومة المتغيرة- ليس كالوصلة الثنائية اما صغيرة المقاومة أو عالية المقاومة حسب اتجاه مرور التيار- ومن ثم يمكن استخدامه كمكبر (فكرة عمل الترانزستور). اقترح شوكلي تصميما فيه يتم تطبيق مجالا كهربائيا عبر شريحة رقيقة من من أحد اشباه الوصلات.ولكن التوصيلية تغيرت بجزء ضئيل مما كان متوقعا عند تطبيق المجال الكهربائي، وقد فسرجون باردين (عضو اخر في شعبة شوكلي) ذلك بأنه كان نتيجة وجود مستويات للطاقة للالكترونات عند سطح شبه الموصل.
الحياة الشخصية
كان براتين مقيما في نيو جيرسي، ثم انتقل الي سياتل في واشنطن عام 1970 حيث عاش حتي وفاته في 13 أكتوبر عام 1987.
مراجع
- معرف موسوعة بريتانيكا على الإنترنت: https://www.britannica.com/biography/Walter-Houser-Brattain — باسم: Walter H. Brattain — تاريخ الاطلاع: 9 أكتوبر 2017 — العنوان : Encyclopædia Britannica
- معرف الشبكات الاجتماعية وسياق الأرشيف: https://snaccooperative.org/ark:/99166/w6x068rn — باسم: Walter Houser Brattain — تاريخ الاطلاع: 9 أكتوبر 2017
- أرشيف مونزينجر: https://www.munzinger.de/search/go/document.jsp?id=00000008041 — باسم: Walter H. Brattain — تاريخ الاطلاع: 9 أكتوبر 2017
- معرف موسوعة بروكهوس على الإنترنت: https://brockhaus.de/ecs/enzy/article/brattain-walter-houser — باسم: Walter Houser Brattain — تاريخ الاطلاع: 9 أكتوبر 2017
- وصلة : معرف شخص في إن إن دي بي
- http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/
- https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/about/amounts/
- "NECROLOGY". Chemical and Engineering News. 35 (19): 58. May 13, 1957. doi:10.1021/cen-v035n019.p058.
- "Walter Houser Brattain". الأكاديمية الملكية السويدية للعلوم. مؤرشف من الأصل في 21 أغسطس 200808 ديسمبر 2014.
Walter H. Brattain was born in Amoy, China, on February 10, 1902, the son of Ross R. Brattain and Ottilie Houser. ...
- Levine, Alaina G. (2008). "John Bardeen, William Shockley, Walter Brattain Invention of the Transistor – Bell Laboratories". APS Physics. مؤرشف من الأصل في 20 ديسمبر 201704 مارس 2015.