الإشابة[1] أو التطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل داخلي لتصبح شبه موصل خارجي ، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة فجوة إلكترونية . تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور ) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة ).
تستخدم زرنيخيد غاليوم ثلاثي النقي كحامل للإشابة، فهو شبه موصل. عند إضافة كمية قليلة من مادة مانحة تحتوي 5 إلكترونات مثل الأنتيمون أو الفوسفور أو الزرنيخ أو غيرها من من عناصر المجموعة الخامسة بالجدول الدوري إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشوبة حينها بلورة شبه موصل سالب أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة متقبلة من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة الكترونات فعندها ستشكل الالكترونات الثلاث رابطة تساهمية مع الكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون فجوة إلكترونية وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة شبه موصل موجب
بعض الأنواع
نوع III-V-GaAs وهو زرنيخيد غاليوم ثلاثي نقي يشوب بقليل من الكربون فيكون فجوات إلكترونية (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب تلوريوم فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .
مادة شبه موصلة تستخدم كثيرا في الإلكترونيات هي أكسيد السيليكون النقي حيث يمكن إشابة ه بالبورون أو ب الفسفور. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو 700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستخدم في صناعة الويفر .
إشابة السيليكون
1) إشابة السيليكون لينتج النوع N من شبه موصل.
أضفنا ذرة فوسفور تمد السيليكون بإلكترون حر (أحمر).
2) إشابة السيليكون لينتج النوع P من شبه موصل .
هنا أضيفت ذرة بورون إلى السيليكون النقي فكونت فيه فجوة إلكترونية.
تركيب ترانزيستور
يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أو PNP .
الشكل المبين يوضح تركيب ما يسمى مقحل ثنائي الأقطاب
انظر أيضاً
مراجع
- ترجمة Doping في بنك باسم للمصطلحات التقنية - تصفح: نسخة محفوظة 30 ديسمبر 2017 على موقع واي باك مشين.