دانييل كابلان (بالفرنسية: Daniel Kaplan) هو فيزيائي فرنسي، ولد في أبريل 1941.[1][2][3]
| دانييل كابلان | |
|---|---|
| (بالفرنسية: Daniel Kaplan) | |
| معلومات شخصية | |
| الميلاد | أبريل 1941 (79 سنة) |
| مواطنة |  فرنسا |
| عضو في | الأكاديمية الفرنسية للعلوم، والأكاديمية الفرنسية للتكنولوجيا |
| الحياة العملية | |
| المدرسة الأم | المدرسة المتعددة التكنولوجية |
| المهنة | فيزيائي |
| الجوائز | |
 |
|
مراجع
- Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., « Measurement of the hyperfine field contribution to quantum transport by NMR excitation », Solid State Communications, 1971, vol. 9, no 18, p. 1591-1593
- Kaplan, D. et Gueron, M., « Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l’antominiure d’indium », CRAS, 1965, vol. 260, no 10, p. 2766
- Thomas, P. A., Brodsky, M. H., Kaplan, D., et al., « Electron spin resonance of ultrahigh vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies », Physical Review B, 1978, vol. 18, no 7, p. 3059