ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (embedded DRAM eDRAM) وهو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المبنية على نظام مكثف.[1][2][3] وهي تكون في العادة منضمة مع المعالج ولذا سمية المنضمة خلافا لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية و ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة المستخدمة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. وإن ضم هذه الذاكرة إلى المعالج يؤمن منفذ معلومات أكبر وبذلك تصبح سرعة تدفق المعلومات أكبر ويصبح تكبير الذاكر سهلا. ولكن اختلاف تكنولوجيا التصنيع يجعل ضمهما في قطعة واحدة صعبة، ولذلك تصنع كل رقاقة على حدى ثم تضم في وحدة واحدة.
مراجع
- "Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks". AnandTech. مؤرشف من الأصل في 05 نوفمبر 201607 أكتوبر 2013.
- "Hot Chips XXI Preview". Real World Technologies. مؤرشف من الأصل في 27 فبراير 201217 أغسطس 2009.
- Intel's Embedded DRAM: New Era of Cache Memory - تصفح: نسخة محفوظة 06 يناير 2017 على موقع واي باك مشين.