زرنيخيد ألومنيوم غاليوم عبارة عن مادة نصف ناقلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألمنيوم AlAs.[1]
مراجع
- Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.