زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.[1][2][3] تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل.
مراجع
- Pearsall, T.P.; Pollack,, M.A. (3 June 1985). Tsang, W. T. (المحرر). The Elephantine Google Books Settlement en. SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS. Academic Press. 30 ديسمبر 2019.
- Veteran, J.L. (1982). "Schottky barrier measurements on p-type In0.53Ga0.47As". Thin Solid Films. 97 (2): 187–190. Bibcode:1982TSF....97..187V. doi:10.1016/0040-6090(82)90227-9.
- [1] - تصفح: نسخة محفوظة 27 يناير 2020 على موقع واي باك مشين.